现在有传言称，三星将在2022年6月下旬或7月上旬开始全面生产其下一代3纳米(3nm)芯片。这样做将使其能够击败竞争对手台积电宣布这一突破。这家韩国巨头有望将其专利形式的全栅场效应晶体管(GAAFET)应用于其最新的尖端生产节点。
据说三星在向高通或AMD等潜在客户提供基于3nm架构的新芯片方面一直落后于台积电。然而，根据最新传闻，情况可能正好相反，因为这家韩国巨头最早可能在下周(2022年6月27日至7月3日)正式启动必要的生产节点。
据报道，三星电子部门副董事长李在镕已与芯片制造设备公司ASML接洽，试图在使用这家荷兰公司的极紫外光扩大3nm晶圆生产规模之前加强与该潜在关键合作伙伴的联系。EUV)光刻技术达到量产能力。
此外，据报道，在美国总统2022年5月正式访问韩国期间，三星向乔·拜登展示了3nm演示。据报道，该公司打算制造基于MBCFET结构的下一代芯片(可能构成传闻中的AppleM2Pro和Ryzen8000系列等处理器的基础)。
“多桥通道场效应晶体管”是三星对GAAFET的专利技术，改进了更传统的FinFET，因为每个晶体管的硅通道(或通道，如较新的例子)都被栅电极材料包围4面。
这(至少根据三星的说法)允许工作电压逐代降低，从而导致功率效率和半导体性能的成比例提高。在MBCFET的情况下，由于革命性的纳米片(相对于纳米线)生产工艺，栅极材料内的通道也可以变得更宽。
这应该(理论上)允许更多的通道表面积与栅极接触，从而增加对电流的暴露。另一方面，台积电计划在其3nm芯片上坚持使用FinFET。
尽管如此，到2022年，它仍占据半导体市场50%以上的份额，而三星约为16%。后者可能希望其正在进行的高达1500亿美元的投资计划能够帮助其在3nm成为处理硬件的高端标准时重新站稳脚跟。