三星研究人员找到了一种新的方法来制造自发射式QLED二极管

三星研究人员找到了一种新的方法来制造自发射式QLED二极管，以延长其寿命和效率，但仍不确定

三星高级技术学院的两位研究员Eunjoo Jang博士和Yu-Ho Won博士在《自然》杂志上发表了一篇有关量子点(QD)技术的新改进的论文。研究人员指出，与其在QLED二极管上不使用有毒镉(Cd)组成的材料，不如说使用磷化铟(InP)材料对环境更好，并将二极管寿命延长至100万小时。

为了“蚀刻出最初的Zync Selenide外壳变厚所伴随的氧化InP核心表面”，研究人员需要引入氢氟酸。壳的厚度防止能量传递，从而保持高发光效率。最初在表面上的配体被较小的配体取代，以改善电荷注入。

使用InP的决定将“理论最大外部量子效率”提高到21.4%，最大亮度提高到100000 cd /m²。这些数字与基于镉的自发射QD-LED的数字相当。

如今的QLED显示器使用的是无镉QD，而不是用作光源。它用作“液晶显示器上的薄膜”，发出从背光吸收的光。

据ZDNet称，三星发言人拒绝对自发光QLED显示器的商业化发表评论。