导读 7月27日电，据“安世半导体”官微7月27日消息，Nexperia（安世半导体）宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30VN沟道小信号TrenchMOSFET，该产品采
7月27日电，据“安世半导体”官微7月27日消息，Nexperia（安世半导体）宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30VN沟道小信号TrenchMOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更持久。此外，安世半导体还推出了一款采用DSN1010封装的12VN沟道TrenchMOSFETPMCA14UN。30VPMCB60XN和PMCB60XNE以及12VPMCA14UN现已供货。
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来源：淘股吧