导读 三星上个月开始使用3nmGate-All-Around(GAA)工艺制造芯片，今天它举行了庆祝此类芯片首次发货的仪式。大约100人出席了仪式，其中包括公司高
三星上个月开始使用3nmGate-All-Around(GAA)工艺制造芯片，今天它举行了庆祝此类芯片首次发货的仪式。大约100人出席了仪式，其中包括公司高管和员工、希望使用新技术的公司的首席执行官以及承诺支持该国半导体生态系统的贸易、工业和能源部长李昌阳。
三星电子于2000年代初开始研究GAA晶体管，并于2017年对该设计进行试验。现在它已准备好使用新工艺大规模生产芯片。
与多年来一直是标准的FinFET设计相比，Gate-All-Around设计允许晶体管在保持相对较小的同时承载更多电流。
据三星称，与类似的5nmFinFET芯片相比，3nmGAA芯片的功耗将降低45%，速度提高23%，体积缩小16%。这是针对第一代GAA流程的，顺便说一下，Gen2将进一步改进这些指标。
FET晶体管的演变——三星为其3nm芯片使用MBCFET设计FET晶体管的演变——三星为其3nm芯片使用MBCFET设计
三星并没有说明第一批出货的芯片是什么类型的，但该公司确实计划开发使用3nmGAA设计的智能手机芯片组。
台积电也将在今年晚些时候开始大规模生产3nm芯片，尽管它们仍将使用FinFET设计——该公司将转向GAAFET并过渡到2nm节点。