导读 7月25日电，7月25日上午，在三星电子位于京畿道华城厂区，适用新一代全环绕栅极（Gate-All-Around）技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活
7月25日电，7月25日上午，在三星电子位于京畿道华城厂区，适用新一代全环绕栅极（Gate-All-Around）技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活动举行。（韩联社）
以上就是【三星首批3纳米GAA芯片出货】相关内容。
来源：淘股吧