导读 6月14日电，3DNAND200层堆栈以上赛局加速展开，继存储器大厂美光(Micron)提出业界首家232层堆栈3DNANDFlash将于2022年底前率先量产，近日市
6月14日电，3DNAND200层堆栈以上赛局加速展开，继存储器大厂美光(Micron)提出业界首家232层堆栈3DNANDFlash将于2022年底前率先量产，近日市场传长江存储将跳过原定192层技术，直接挑战232层NAND，并于2022年底量产。存储器相关业者指出，如此一来，长江存储可望赶上其他NAND大厂如三星电子等。
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来源：淘股吧