当高带宽内存(HBM)于2015年推出时，人们对其寄予厚望，但仍无法与当时流行的图形卡GDDR5内存竞争。随着HBM2的到来，这种情况迅速改变。现在，在推出第一代HBM五年后，三星率先宣布量产第三代HBM2E存储器。三星在3月的Nvidia GTC活动上首次披露了Flashbolt，该产品将于2020年上半年实现量产。
通过堆叠DRAM管芯，HBM通常可以实现更大的存储带宽(如Flashbolt的1,024位总线所示)。结果，很小的封装可以实现很高的带宽。这对于集成到GPU芯片本身很有用，可以节省图形卡印刷电路板上的宝贵空间。
自三月份最初发布Flashbolt以来，三星一直没有更改其任何规格，包括八个彼此叠置的16 GB裸片来创建16GB的内存堆栈。
在3,200 MHz时，Flashbolt通过其1,024位内存接口提供410 GBps的内存传输速度。尽管如此，三星已经对内存进行了测试，使其能够在最高4,200 MHz的频率下运行，从而使带宽一直达到高达538 GBps的巨大速度，这告诉我们HBM2E可能具有巨大的超频潜力。
相比之下，三星的上一代HBM2存储器“ Aquabolt”提供的总容量为8GB，以2,400 MHz的频率运行，每个堆栈的最大带宽为307.2 GBps。
所使用的DRAM建立在10nm光刻技术上，该封装使用40,000个贯穿硅的Via(TSV)。八个16Gb芯片中的每个芯片都有5600个微凸点。
三星内存销售与市场执行副总裁Cheol Choi表示：“随着当今市场上性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的作用。”在今天的公告随附的声明中。“随着我们巩固在全球存储器市场的优势，三星将继续履行其带来真正差异化解决方案的承诺。”
HBM2E内存并非立即针对消费类产品，但有可能最终会面向少数面向消费者的产品，就像AMD Radeon VII(16GB)带有两个HBM2堆栈一样。但是，HBM2E的主要目标是高性能计算(HPC)和超级计算机。
鉴于此版本的发布时间，看到Nvidia的下一代HPC Tesla Tesla GPU装有Flashbolt内存不足为奇。我们已经知道，印第安纳大学推迟了其超级计算机中的GPU安装，以等待从继任者到基于Volta的Tesla V100GPU提升70-75%的性能。这款可能称为Tesla A100的继任者将基于Ampere架构，英伟达可以在3月23日的GTC主题演讲中宣布这一架构。