导读 Kioxia(正式名称为东芝存储器)有望创建3D NAND闪存的后继产品，与QLC NAND闪存相比，该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技
Kioxia(正式名称为东芝存储器)有望创建3D NAND闪存的后继产品，与QLC NAND闪存相比，该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元和每个单元更多的存储空间，这可以显着提高每个单元的存储密度。
Kioxia(前为东芝存储器)创造了3D NAND闪存存储的潜在继任者
上周四，Kioxia宣布了世界上第一个“三维半圆形分裂栅闪存单元结构”，称为Twin BiCS Flash。这与Kioxia的其他产品BiCS5 Flash不同。BiCS5闪存使用圆形电荷陷阱单元，而Twin BiCS闪存使用半圆形浮栅单元。新的结构扩大了对单元进行编程的窗口，尽管与CT技术相比，单元在物理上更小。
Twin BiCS闪存是目前在QLC NAND技术中成功的最佳选择，尽管该芯片的未来实现方式仍然未知。尽管目前存在三种纠正方法，但这种更新的芯片显着增加了闪存的存储量，这对于制造商来说是一个大问题。
制造商已经设想了增加NAND闪存密度的一种流行方法，一种增加存储层的方法，已经设想了500和800层NAND芯片。制造商最近通过了96层NAND闪存芯片，并实现了128位NAND闪存芯片。增加NAND闪存密度的另一种方法是减小单元的大小，这允许将更多的单元装入单个层中。
增加NAND闪存密度的最后一种方法是提高每个单元的总位，这是制造商最常用的。这种方式给了我们SLC，MLC，TLC和最新的QLC NAND，与以前的技术相比，每个单元的比特数增加了一个。